【簡(jiǎn)介：】這是一個(gè)誤區(qū)，其實(shí)生產(chǎn)28納米芯片和7納米芯片的光刻機(jī)可以是同一種光刻機(jī)，只是使用光刻機(jī)的方式有變化而已。臺(tái)積電昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)，生產(chǎn)出來(lái)了從28
這是一個(gè)誤區(qū)，其實(shí)生產(chǎn)28納米芯片和7納米芯片的光刻機(jī)可以是同一種光刻機(jī)，只是使用光刻機(jī)的方式有變化而已。臺(tái)積電昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)，生產(chǎn)出來(lái)了從28納米到7納米的所有芯片。只不過(guò)現(xiàn)在有了EUV光源的光刻機(jī)，在生產(chǎn)7納米芯片時(shí)效率更高，于是臺(tái)積電就在許多工序改用了EUV光刻機(jī)，但并不是說(shuō)浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)就不被使用到7納米芯片工藝的工序中了。
如此一來(lái)，這個(gè)問(wèn)題就簡(jiǎn)化成為，只要上海微電子攻克了生產(chǎn)28納米的光刻機(jī)，理論上來(lái)說(shuō)，通過(guò)工藝改進(jìn)，不計(jì)成本的話，7納米芯片也是可以被生產(chǎn)出來(lái)的。這理論上也算是攻克了7納米的工藝吧。所以問(wèn)題就變成了2025年前攻克28納米光刻機(jī)的可能性了。
真正7納米芯片的工藝問(wèn)題是代工廠的責(zé)任，探索臺(tái)積電已經(jīng)走過(guò)的技術(shù)路線，用浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)的多次曝光工藝來(lái)生產(chǎn)7納米芯片。這就不是我們今天討論的關(guān)鍵了。
很顯然，2021年就不用指望了。因?yàn)樯虾Ｎ㈦娮拥?8納米光刻機(jī)沒(méi)有達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn)，需要2022年繼續(xù)努力了。但即便2022年這臺(tái)光刻機(jī)達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)，獲得了通過(guò)，也還有一個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題擺在了上海微電子面前。那就是浸入式ArF光源的問(wèn)題?，F(xiàn)在這臺(tái)樣機(jī)的光源，用的是日本進(jìn)口的浸入式ArF光源。那么，在日后量產(chǎn)的時(shí)候，這個(gè)光源能不能穩(wěn)定供貨就是一個(gè)重大問(wèn)題了。國(guó)內(nèi)光源提供商“科益虹源”，已經(jīng)拿出來(lái)了40w 4kHz ArF光源的樣機(jī)，但主流的ArF浸沒(méi)式光刻機(jī)需要60w 6kHz等級(jí)的光源，所以也就是說(shuō)國(guó)內(nèi)的光源目前還沒(méi)辦法代替進(jìn)口光源了。
至此，這臺(tái)上海微電子的樣機(jī)能不能變成批量生產(chǎn)的產(chǎn)品就非常不確定了，因?yàn)殛P(guān)鍵子系統(tǒng)還處于攻關(guān)當(dāng)中，無(wú)法確認(rèn)研發(fā)出子系統(tǒng)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)。
也就是說(shuō)，現(xiàn)在上海微電子的這臺(tái)28納米光刻機(jī)，就是走的殲20路子。時(shí)間不等人，殲20就不等渦扇15發(fā)動(dòng)機(jī)了，先用進(jìn)口的俄羅斯AL-31F發(fā)動(dòng)機(jī)頂上用著?，F(xiàn)在上海微電子可不就是先用日本光源頂上用著嘛。至于中國(guó)自己的光源，就等著啥時(shí)候能研發(fā)出來(lái)吧。
以目前的國(guó)際大環(huán)境，殲20如果還想用俄羅斯發(fā)動(dòng)機(jī)，就還是能找到貨源的。但中國(guó)如果想獲得一個(gè)穩(wěn)定的浸入式ArF光源的難度有多大？我想大家都明白。所以，這個(gè)浸入式ArF光源的緊迫性，甚至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)對(duì)渦扇15的需求，就肯定沒(méi)錯(cuò)了。
也就是說(shuō)，哪怕2022年，上海微電子攻克了這個(gè)28納米光刻機(jī)技術(shù)，但橫在量產(chǎn)前面的光源問(wèn)題，能不能在2025年前解決呢？我想沒(méi)人知道吧?，F(xiàn)在科益虹源的官網(wǎng)網(wǎng)站都打不開(kāi)了，所以沒(méi)人知道他們的進(jìn)展如何了，現(xiàn)在網(wǎng)上真是一個(gè)字兒都沒(méi)有。
所以，說(shuō)什么上海能不能在2025年前攻克7納米光刻機(jī)，僅僅一個(gè)光源問(wèn)題就說(shuō)明了一切。
按道理，28nm光刻機(jī)22年年初就通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收，前兩個(gè)月的驗(yàn)收失敗了，子系統(tǒng)沒(méi)問(wèn)題，整合上出了問(wèn)題，28nm光刻機(jī)就可以做7nm芯片，臺(tái)積電第一代7nm就是28nmDUV光刻機(jī)做的，中芯現(xiàn)在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的7nm芯片也是通過(guò)28nm光刻機(jī)多次曝光，就是良率偏低，對(duì)應(yīng)的就是成本偏高
